半導(dǎo)體公司座次變化明顯 HDI小編提醒2018年警惕芯片增長(zhǎng)驟降

2017年全球收入排名前十的半導(dǎo)體廠(chǎng)商(百萬(wàn)美元)(來(lái)源:Gartner官網(wǎng))
HDI小編看到一信息技術(shù)研究和分析公司Gartner于1月初發(fā)布了2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)初步統(tǒng)計(jì)報(bào)告。數(shù)據(jù)顯示,去年全球半導(dǎo)體收入為4197億美元,同比增長(zhǎng)22.2%。
供應(yīng)不足局面推動(dòng)存儲(chǔ)芯片收入增長(zhǎng)64%,它在半導(dǎo)體總收入中的占比達(dá)到31%。存儲(chǔ)芯片占據(jù)了去年半導(dǎo)體總收入增幅的三分之二以上,供應(yīng)不足引發(fā)的價(jià)格上漲成為了推動(dòng)存儲(chǔ)芯片收入增長(zhǎng)的關(guān)鍵動(dòng)力。去年,NAND閃存芯片價(jià)格增幅為17%,DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格增長(zhǎng)了44%。
三星去年超越英特爾公司成為全球最大芯片制造商(自1992年以來(lái)英特爾一直是全球最大芯片制造商)。三星去年半導(dǎo)體收入為612.15億美元,同比增長(zhǎng)52.6%,市場(chǎng)份額為14.6%,排在第一位;英特爾(INTC)半導(dǎo)體收入為577.12億美元,同比增長(zhǎng)6.7%,份額為13.8%,位居第二;SK海力士去年半導(dǎo)體收入為263.09億美元,同比增長(zhǎng)79%,份額為6.3%,排在第三。
Gartner此前曾預(yù)測(cè)2018年半導(dǎo)體市場(chǎng)可望增長(zhǎng)4%,達(dá)到4274億美元規(guī)模,繼續(xù)創(chuàng)新高。2019年隨著各大廠(chǎng)商增加新產(chǎn)能,內(nèi)存供需情況將開(kāi)始扭轉(zhuǎn),屆時(shí)半導(dǎo)體市場(chǎng)將下滑1%。
這也印證了Gartner研究副總裁安德魯·諾伍德(Andrew Norwood)的說(shuō)法。他表示“三星的優(yōu)勢(shì)并不穩(wěn)固,主要依靠存儲(chǔ)芯片。隨著中國(guó)擴(kuò)大存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能,存儲(chǔ)芯片的價(jià)格將在2018年走弱,NAND閃存芯片首當(dāng)其沖。DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格也將在2019年下滑。我們預(yù)計(jì),三星屆時(shí)將會(huì)損失大量收入。”
去年同樣依靠?jī)?nèi)存芯片或硬盤(pán)產(chǎn)品獲得大幅增長(zhǎng)的還有美光科技(MU)、Toshiba、西部數(shù)據(jù)(WDC)等,這些廠(chǎng)商也同樣面臨著存儲(chǔ)芯片價(jià)格未來(lái)可能下降的風(fēng)險(xiǎn)。
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通訊手機(jī)HDI
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型號(hào):GHS08K03479A0
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板材:EM825
板厚:0.8mm
尺寸:144.08mm*101mm
最小線(xiàn)寬:0.075mm
最小線(xiàn)距:0.075mm
最小孔徑:0.1mm
表面處理:沉金+OSP
通訊手機(jī)HDI
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板材:EM825
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最小線(xiàn)寬:0.076mm
最小線(xiàn)距:0.076mm
最小孔徑:0.1mm
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5G模塊PCB
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最小線(xiàn)寬:0.102mm
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P1.5顯示屏HDI
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型號(hào):GHS04C03605A0
層數(shù):4層一階
所用板材:EM825
板厚:1.6mm
尺寸:24mm*116mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線(xiàn)寬:0.13mm
最小線(xiàn)距:0.097mm
表面處理:沉金
外形公差:+0.05/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
特殊要求:燈窩間距:P1.5
P2.571顯示屏HDI
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型號(hào):GHS04C03429A0
階層:4層一階
板材:EM825
板厚:1.6mm
尺寸:215.85mm*287.85mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線(xiàn)寬:0.152mm
最小線(xiàn)距:0.152mm
表面處理:沉金
外形公差:+/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
特殊要求:控深鉆帽子電鍍間距:P2.571
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型號(hào):GHM08C03113A0
階層:8層一階
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板厚:1.6mm
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最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線(xiàn)寬:0.127mm
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表面處理:沉金
外形公差:+0.05/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
特殊要求:控深鉆間距:P1.9
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