HDI之臺(tái)積電將宣布德國(guó)28nm工廠計(jì)劃
據(jù)HDI小編了解,臺(tái)積電今日上午在南部科學(xué)園區(qū)晶圓18廠新建工程基地舉行3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮,宣布3納米制程順利量產(chǎn),且良率優(yōu)秀,同時(shí)也為第八期晶圓廠上梁。就在此時(shí),業(yè)界傳出臺(tái)積電將在明年宣布德國(guó)建廠計(jì)劃。外媒報(bào)導(dǎo)過(guò)臺(tái)積電可能赴德設(shè)廠,臺(tái)積電當(dāng)時(shí)并未證實(shí),僅表示不排除任何可能,但未有具體計(jì)劃。業(yè)界人士現(xiàn)指出,南科3納米晶圓量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮后,臺(tái)積電預(yù)定明年接著宣布德國(guó)廠計(jì)劃。之前外媒披露,臺(tái)積電德國(guó)廠可能落腳東部城市德勒斯登。業(yè)界人士透露,德國(guó)廠預(yù)定鎖定特殊車用市場(chǎng),采用制程為22納米、28納米,量產(chǎn)時(shí)間可能落在2026年后。

盤點(diǎn)臺(tái)積電海外布局, 據(jù)HDI小編了解,主要分布于中國(guó)大陸、日本與美國(guó)。美國(guó)部分,除1996年設(shè)立美國(guó)子公司W(wǎng)afer Tech,還有業(yè)界最關(guān)注的亞利桑那州12寸晶圓廠,2024年量產(chǎn)N4制程;臺(tái)積電移機(jī)典禮時(shí)也宣布,開始興建第二期工程,2026年生產(chǎn)3納米制程技術(shù)。臺(tái)積電也在德州奧斯汀市、加州圣何西市都有設(shè)計(jì)中心。 據(jù)HDI小編了解,中國(guó)大陸部分,臺(tái)積電上海松江設(shè)8寸廠,南京則設(shè)12寸廠及一座設(shè)計(jì)服務(wù)中心。臺(tái)積電先前宣布南京廠將擴(kuò)廠,并表示按進(jìn)度進(jìn)行。日本部分,臺(tái)積電攜手索尼半導(dǎo)體與電裝株式會(huì)社(DENSO),在熊本廠合資興建12寸廠,明年9月完工、2024年底出貨;臺(tái)積電也在茨城新設(shè)3 DIC研發(fā)中心,已開始運(yùn)作。
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最新產(chǎn)品
通訊手機(jī)HDI
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型號(hào):GHS08K03479A0
階數(shù):8層二階
板材:EM825
板厚:0.8mm
尺寸:144.08mm*101mm
最小線寬:0.075mm
最小線距:0.075mm
最小孔徑:0.1mm
表面處理:沉金+OSP
通訊手機(jī)HDI
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板材:EM825
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最小線寬:0.075mm
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型號(hào):GHS04K03404A0
階數(shù):4層一階+半孔
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最小線寬:0.076mm
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5G模塊PCB
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型號(hào):HS10K21632A0
層數(shù):10層
板材:生益 S1000-2
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最小孔徑:0.102mm
最小線寬:0.102mm
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型號(hào):GHS04C03605A0
層數(shù):4層一階
所用板材:EM825
板厚:1.6mm
尺寸:24mm*116mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線寬:0.13mm
最小線距:0.097mm
表面處理:沉金
外形公差:+0.05/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
特殊要求:燈窩間距:P1.5
P2.571顯示屏HDI
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型號(hào):GHS04C03429A0
階層:4層一階
板材:EM825
板厚:1.6mm
尺寸:215.85mm*287.85mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線寬:0.152mm
最小線距:0.152mm
表面處理:沉金
外形公差:+/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
特殊要求:控深鉆帽子電鍍間距:P2.571
P1.9顯示屏HDI
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型號(hào):GHM08C03113A0
階層:8層一階
板材:EM825
板厚:1.6mm
尺寸:239.9mm*239.9mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線寬:0.127mm
最小線距:0.127mm
表面處理:沉金
外形公差:+0.05/-0.15mm(板內(nèi)無(wú)定位孔)
特殊要求:控深鉆間距:P1.9
P1.923顯示屏HDI
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