手機無線充線路板之三星計劃2025年量產(chǎn)2nm芯片,2027年量產(chǎn)1.4nm芯片
據(jù)手機無線充線路板小編了解,隨著近日最新出產(chǎn)的高性能芯片大量使用4nm工藝,不少廠商的3nm制程工藝也被提上日程,正式進入到了測試階段,也預計將在2023年年末就會看到3nm制程的產(chǎn)品面向市場。
前段時間,三星公布了自家的3nm制程工藝已經(jīng)達到了可以批量生產(chǎn)的標準,因為三星工藝在驍龍888和驍龍8Gen1兩款芯片上的表現(xiàn)并不盡如人意,所以仍有不少相關(guān)機構(gòu)認為臺積電的3nm會優(yōu)于三星工藝,但目前仍處在相關(guān)芯片工藝參數(shù)爆料階段,并不能說明最后使用相關(guān)工藝的芯片性能有差別。

據(jù)手機無線充線路板小編了解,三星電子的芯片合同制造業(yè)務周二表示,盡管目前全球經(jīng)濟不景氣,但它計劃到2027年將其先進芯片的產(chǎn)能提高三倍以上,以滿足強勁的需求。這家僅次于臺積電的世界第二大代工廠的目標是到2025年大規(guī)模生產(chǎn)先進的2nm技術(shù)芯片,到2027年大規(guī)模生產(chǎn)1.4nm芯片,這些芯片將用于高性能計算和人工智能等應用。據(jù)此前報道,三星主要競爭對手臺積電2nm制程將于2025年量產(chǎn),并且就現(xiàn)在的進度來看,有望領(lǐng)先其競爭對手三星和英特爾。
據(jù)手機無線充線路板小編了解,臺積電先進制程進展順利,3nm將在今年下半年量產(chǎn),升級版3nm(N3E)制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn),即2023年量產(chǎn),2nm預計于2025年量產(chǎn)。臺積電2nm預計首次采用納米片架構(gòu),相較N3E制程,在相同功耗下頻率可提升10%至15%;在相同頻率下,功耗降低25%至30%。除臺積電和三星外,英特爾也在這兩年持續(xù)在芯片制造方向持續(xù)發(fā)力,目前雖然還在使用7nm技術(shù),但據(jù)相關(guān)消息,英特爾已經(jīng)在多處建立芯片中心,同樣也被爆料將于2025年發(fā)布2nm工藝。
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最新產(chǎn)品
通訊手機HDI
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型號:GHS08K03479A0
階數(shù):8層二階
板材:EM825
板厚:0.8mm
尺寸:144.08mm*101mm
最小線寬:0.075mm
最小線距:0.075mm
最小孔徑:0.1mm
表面處理:沉金+OSP
通訊手機HDI
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型號:GHS06C03294A0
階數(shù):6層二階
板材:EM825
板厚:1.0mm
尺寸:92mm*118mm
最小線寬:0.075mm
最小線距:0.075mm
最小孔徑:0.1mm
表面處理:沉金
通訊模塊HDI
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型號:GHS04K03404A0
階數(shù):4層一階+半孔
板材:EM825
板厚:0.6mm
尺寸:94.00*59.59mm
最小線寬:0.076mm
最小線距:0.076mm
最小孔徑:0.1mm
表面處理:沉金+OSP
5G模塊PCB
P1.5顯示屏HDI
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型號:GHS04C03605A0
層數(shù):4層一階
所用板材:EM825
板厚:1.6mm
尺寸:24mm*116mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線寬:0.13mm
最小線距:0.097mm
表面處理:沉金
外形公差:+0.05/-0.15mm(板內(nèi)無定位孔)
特殊要求:燈窩間距:P1.5
P2.571顯示屏HDI
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型號:GHS04C03429A0
階層:4層一階
板材:EM825
板厚:1.6mm
尺寸:215.85mm*287.85mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線寬:0.152mm
最小線距:0.152mm
表面處理:沉金
外形公差:+/-0.15mm(板內(nèi)無定位孔)
特殊要求:控深鉆帽子電鍍間距:P2.571
P1.9顯示屏HDI
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型號:GHM08C03113A0
階層:8層一階
板材:EM825
板厚:1.6mm
尺寸:239.9mm*239.9mm
最小盲孔:0.1mm
最小埋孔:0.2mm
最小線寬:0.127mm
最小線距:0.127mm
表面處理:沉金
外形公差:+0.05/-0.15mm(板內(nèi)無定位孔)
特殊要求:控深鉆間距:P1.9
P1.923顯示屏HDI
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