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什么是電遷移 HDI中的IC電遷移分析？

文章來(lái)源：作者：何琴查看手機(jī)網(wǎng)址

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人氣：2494發(fā)布日期：2023-02-15 08:59【大中小】

"我們都希望電路能夠完美地導(dǎo)電和穩(wěn)定，但實(shí)際情況并非如此?，F(xiàn)實(shí)世界并不由被真空包圍的完美導(dǎo)體和絕緣體組成，并且電場(chǎng)將與真實(shí)系統(tǒng)中的導(dǎo)體和基底相互作用。無(wú)論是設(shè)計(jì)IC還是HDI，都需要考慮在不完善的電子產(chǎn)品中產(chǎn)生的重要影響：電遷移。

　　什么是電遷移，為什么會(huì)發(fā)生？更重要的是，如何預(yù)防呢？一輪簡(jiǎn)單的HDI和IC電遷移分析。目的是防止這些設(shè)備在不同條件下發(fā)生短路和開(kāi)路。為此已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一些行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。您需要了解這些標(biāo)準(zhǔn)以及電遷移如何導(dǎo)致新設(shè)備出現(xiàn)故障的知識(shí)

　　電子中的電遷移

　　隨著更多的組件堆積在更小的空間中，具有指定電位差的兩個(gè)導(dǎo)體之間的電場(chǎng)會(huì)變大。這導(dǎo)致高壓電子設(shè)備中的一些安全問(wèn)題，特別是靜電放電（ESD）。被空氣隔開(kāi)的兩個(gè)導(dǎo)體之間的高電場(chǎng)會(huì)使空氣經(jīng)歷電介質(zhì)擊穿，從而在周?chē)碾娐分挟a(chǎn)生電弧和電流脈沖。要在HDI或其他設(shè)備中防止這些放電，需要以一定的間距分隔導(dǎo)體，該間距取決于導(dǎo)體之間的電勢(shì)差。

　　上述間隙距離對(duì)于安全性和防止設(shè)備故障很重要，但是跨襯底的距離也很重要。要考慮的另一點(diǎn)是跨電介質(zhì)的導(dǎo)體之間的距離。在HDI中，這稱(chēng)為爬電距離，其要求（以及電氣間隙）在IPC2221標(biāo)準(zhǔn)中定義。當(dāng)導(dǎo)體之間的間距較小時(shí)，電場(chǎng)可能會(huì)很大，從而導(dǎo)致電遷移。

　　當(dāng)導(dǎo)體中的電流密度較大時(shí)（在IC中），或者當(dāng)兩個(gè)導(dǎo)體之間的電場(chǎng)較大時(shí)（在HDI中），驅(qū)動(dòng)電遷移的機(jī)制可以描述為指數(shù)增長(zhǎng)。為了防止電遷移，您可以使用三個(gè)杠桿來(lái)拉入您的設(shè)計(jì)：

　　增加導(dǎo)體之間的間距（在HDI中）

　　降低導(dǎo)體之間的電壓（在HDI中）

　　以更低的電流運(yùn)行設(shè)備（在IC中）

　　IC中的電遷移：開(kāi)路和短路

　　在IC互連中，主要作用力不是兩個(gè)導(dǎo)體之間以及隨后電離之間的電場(chǎng)。相反，固態(tài)電遷移是由于在高電流密度（通?！?0，000A/cm2）下的電子動(dòng)量傳遞（散射）導(dǎo)致金屬沿著導(dǎo)電路徑（在這種情況下，金屬互連本身）運(yùn)動(dòng)。電遷移遵循Ahrrenius過(guò)程，因此遷移速度隨著互連溫度的升高而增加。

　　銅電遷移所涉及的力如下所示。風(fēng)力是指由于電子從晶格中的金屬原子的散射而施加在金屬離子上的力。這種反復(fù)的電離和動(dòng)量傳遞到自由金屬離子，使它們向陽(yáng)極擴(kuò)散。這種遷移過(guò)程具有活化能。當(dāng)傳遞給金屬原子的能量超過(guò)Ahrrenius活化過(guò)程時(shí)，定向擴(kuò)散就開(kāi)始了，這是在濃度梯度的指導(dǎo)下進(jìn)行的（菲克定律）。

　　當(dāng)金屬被拉到導(dǎo)體表面時(shí)，它開(kāi)始建立可以橋接兩個(gè)導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，從而造成短路。它還會(huì)耗盡互連線陽(yáng)極側(cè)的金屬，導(dǎo)致開(kāi)路。下面的SEM圖像顯示了兩個(gè)導(dǎo)體之間擴(kuò)展電遷移的結(jié)果。當(dāng)金屬沿著表面遷移時(shí)，它會(huì)留下空隙（開(kāi)路）或產(chǎn)生連接到相鄰導(dǎo)體的晶須（短路）。在帶有通孔的極端情況下，電遷移甚至?xí)谋M覆蓋層下方的導(dǎo)體。

　　HDI中的電遷移：樹(shù)突狀生長(zhǎng)

　　HDI中會(huì)發(fā)生類(lèi)似的影響，從而導(dǎo)致兩種可能的電遷移形式：

　　如上所述，沿著表面的電遷移

　　半導(dǎo)體鹽的形成，導(dǎo)致樹(shù)狀樹(shù)狀結(jié)構(gòu)的電化學(xué)生長(zhǎng)

　　這些影響由不同的物理過(guò)程控制。兩個(gè)導(dǎo)體之間的電流密度可能會(huì)很低，因?yàn)榕cIC互連的橫截面相比，金屬走線的尺寸非常大。在種情況下，遷移會(huì)在高電流密度下發(fā)生，從而導(dǎo)致相同類(lèi)型的短截線隨時(shí)間增長(zhǎng)。在表面層上，隨著導(dǎo)體暴露于空氣中，隨后可能發(fā)生氧化。

　　在第二種情況下，電遷移是電解過(guò)程。該領(lǐng)域在存在水分和鹽分的情況下驅(qū)動(dòng)電化學(xué)反應(yīng)。電解電遷移需要表面上的水分和兩個(gè)導(dǎo)體之間的高直流電，這會(huì)驅(qū)動(dòng)電化學(xué)反應(yīng)和樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)。遷移的金屬離子溶解在水溶液中并擴(kuò)散到整個(gè)絕緣基板上。IPC2221在這里發(fā)揮了作用，因?yàn)樵黾酉噜弻?dǎo)體之間的距離會(huì)減小它們之間的電場(chǎng)，從而抑制了驅(qū)動(dòng)電解電遷移的反應(yīng)。

　　新布局中的電遷移分析需要檢查設(shè)計(jì)，以確保跡線間隙不違反設(shè)計(jì)規(guī)則或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。如果您可以使用一些基本的HDI或IC布局工具，則可以對(duì)照這些規(guī)則檢查布局并找出任何違規(guī)之處。隨著IC和HDI的不斷縮小，電遷移分析對(duì)于確保可靠性?xún)H會(huì)變得越來(lái)越重要。

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